Αφού έχασε την ευκαιρία να παρέχει τσιπ μνήμης υψηλού εύρους ζώνης πέμπτης γενιάς (HBM3E) σε μεγάλες ποσότητες στη Nvidia, η Samsung φροντίζει να μην αντιμετωπίζει τα ίδια προβλήματα με τα τσιπ μνήμης υψηλού εύρους ζώνης (HBM4) έκτης γενιάς. Σύμφωνα με πληροφορίες, θα ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή τσιπ HBM4 τον Φεβρουάριο του 2026.
Πρόσφατα αποκαλύφθηκε ότι τα τσιπ HBM4 της Samsung πέρασαν τις δοκιμές ποιότητας της Nvidia με μεγάλη επιτυχία. Ένα νέο αναφορά από το SEDaily τώρα ισχυρίζεται ότι η Samsung θα ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή τσιπ HBM4 στην πανεπιστημιούπολη Pyeongtaek τον Φεβρουάριο του 2026. Ο κύριος ανταγωνιστής της SK Hynix θα ξεκινήσει επίσης τη μαζική παραγωγή των δικών της τσιπ HBM4 περίπου την ίδια περίοδο.
Τα περισσότερα από τα τσιπ HBM4 της Samsung θα εγκατασταθούν στο σύστημα επιτάχυνσης τεχνητής νοημοσύνης επόμενης γενιάς της Nvidia που ονομάζεται Vera Rubin, το οποίο θα κυκλοφορήσει το δεύτερο εξάμηνο του 2026. Ορισμένα τσιπ HBM4 θα παρέχονται επίσης στην Google για τις μονάδες επεξεργασίας τανυστών (TPUs) έβδομης γενιάς.
Ενώ η SK Hynix αποφάσισε να χρησιμοποιήσει μια διαδικασία κατασκευής 12 nm για το βασικό καλούπι των τσιπ HBM4 της, η Samsung χρησιμοποίησε μια διαδικασία κατασκευής κατηγορίας 10 nm για τα ανταγωνιστικά της τσιπ. Ως εκ τούτου, αναφέρεται ότι τα τσιπ HBM4 της Samsung έχουν καλύτερη απόδοση. Στις εσωτερικές της δοκιμές, η εταιρεία φέρεται να πέτυχε ταχύτητες έως και 11,7 Gbps.
Δεδομένου ότι οι δυνατότητες παραγωγής HBM τόσο της Samsung όσο και της SK Hynix λέγεται ότι έχουν ήδη εξαντληθεί για τον επόμενο χρόνο, οι εταιρείες τεχνητής νοημοσύνης προσπαθούν να προμηθευτούν όσο το δυνατόν περισσότερα τσιπ μνήμης, καθώς η συνεχιζόμενη έλλειψη chip θα μπορούσε να οδηγήσει σε συμφόρηση στην παραγωγή για εταιρείες όπως η Amazon, η Google, η Microsoft και η OpenAI. Η Samsung θα κερδίσει δισεκατομμύρια πουλώντας τα τσιπ HBM της.
